2N7002KT1G vs 2N7002V-7

2N7002KT1G과 2N7002V-7에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

2N7002V-7

다이오즈(주)

Lifecycle
Active
Stock
9681 PCS
Package
SOT-666
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이
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Specification 2N7002KT1G 2N7002V-7
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Active Obsolete
FET Type N-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 320mA (Ta) 280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 24.5 pF @ 20 V 50pF @ 25V
Power - Max - 150mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 0.7 nC @ 4.5 V -
Vgs(Max) ±20V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
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