2N7002NXAKR vs 2N7002V

2N7002NXAKR과 2N7002V에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2N7002NXAKR

넥스페리아 USA 주식회사

Lifecycle: Active
Stock: 2910 PCS
Package: SOT-23-3
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Part B

2N7002V

비조 반도체 회사

Lifecycle: Active
Stock: 4358 PCS
Package: SOT-666
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Full specification comparison

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Specification	2N7002NXAKR	2N7002V
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	-	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	190mA (Ta), 300mA (Tc)	280mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	4.5Ohm @ 100mA, 10V	7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V @ 250µA	2.5V @ 250µA
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	20 pF @ 10 V	50pF @ 25V
Power - Max	-	250mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	5V, 10V	-
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.43 nC @ 4.5 V	-
Vgs(Max)	±20V	-
Power Dissipation (Max)	265mW (Ta), 1.33W (Tc)	-

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