2SB1188T100R vs 2SB1121T-TD-E

2SB1188T100R과 2SB1121T-TD-E에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

2SB1188T100R

롬

Lifecycle: Active
Stock: 22803 PCS
Package: TO-243AA
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 단일

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Part B

2SB1121T-TD-E

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 752 PCS
Package: TO-243AA
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 단일

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Full specification comparison

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Specification	2SB1188T100R	2SB1121T-TD-E
Supplier	Rohm Semiconductor	onsemi
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	2 A	2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	32 V	25 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	800mV @ 200mA, 2A	600mV @ 75mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff(Max)	1µA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	180 @ 500mA, 3V	100 @ 100mA, 2V
Power - Max	2 W	500 mW
Frequency - Transition	100MHz	150MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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