70V659S12DRGI vs 70V657S10DRG8

70V659S12DRGI과 70V657S10DRG8에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

70V659S12DRGI

미국 리사 전자 회사

Lifecycle: Active
Stock: 1522 PCS
Package: PQFP-208
Series: 기억력

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Part B

70V657S10DRG8

미국 리사 전자 회사

Lifecycle: Active
Stock: 6664 PCS
Package: BFQFP-208
Series: 기억력

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Full specification comparison

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Specification	70V659S12DRGI	70V657S10DRG8
Supplier	-	Renesas Electronics America Inc
Part Status	Active	Obsolete
Memory Type	Volatile	Volatile
Memory Format	SRAM	SRAM
Technology	SRAM - Dual Port, Asynchronous	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Memory Size	4.5Mb (128K x 36)	1.125Mb (32K x 36)
Memory Interface	Parallel	Parallel
Write Cycle Time - Word Page	12ns	10ns
Access Time	12 ns	10 ns
Voltage - Supply	3.15V ~ 3.45V	3.15V ~ 3.45V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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