BC847CDW1T1G vs BC847BDW1T3

BC847CDW1T1G과 BC847BDW1T3에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BC847CDW1T1G

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 11885 PCS
Package: SC-88
Series: 양극 트랜지스터(BJT) 어레이

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Part B

BC847BDW1T3

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 8613 PCS
Package: SC-88
Series: 양극 트랜지스터(BJT) 어레이

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Full specification comparison

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Specification	BC847CDW1T1G	BC847BDW1T3
Supplier	onsemi	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	2 NPN (Dual)	2 NPN (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	45V	45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	600mV @ 5mA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	15nA (ICBO)	-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	420 @ 2mA, 5V	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW	250mW
Frequency - Transition	100MHz	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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