BCP56T1G vs BCP56-10115 비교
BCP56T1G과 BCP56-10115에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
SOT-223-4
SOT-223-3
설명
TRANS NPN 80V 1A SOT223
NOW NEXPERIA BCP56-10 - SMALL SI
Part Status
Active
Active
Transistor Type
NPN
-
Current - Collector(Ic)(Max)
1 A
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
80 V
-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
500mV @ 50mA, 500mA
-
Current - Collector Cutoff(Max)
100nA (ICBO)
-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
40 @ 150mA, 2V
-
Power - Max
1.5 W
-
Frequency - Transition
130MHz
-
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
