C3M0016120K vs C3M0065100K

C3M0016120K과 C3M0065100K에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

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Specification C3M0016120K C3M0065100K
Series C3M™ C3M™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V 1000 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 115A (Tc) 35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 22.3mOhm @ 75A, 15V 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.6V @ 23mA 3.5V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 211 nC @ 15 V 35 nC @ 15 V
Vgs(Max) +15V, -4V +19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6085 pF @ 1000 V 660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max) 556W (Tc) 113.5W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole