CSD17556Q5B vs CSD17501Q5A

CSD17556Q5B과 CSD17501Q5A에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17556Q5B

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 5685 PCS
Package: TDFN-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

+BOM 견적 요청(RFQ)

Part B

CSD17501Q5A

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 6416 PCS
Package: TDFN-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

+BOM 견적 요청(RFQ)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

견적 요청(RFQ) Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	CSD17556Q5B	CSD17501Q5A
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	34A (Ta), 100A (Tc)	100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.4mOhm @ 40A, 10V	2.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.65V @ 250µA	1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	39 nC @ 4.5 V	17 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	7020 pF @ 15 V	2630 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	3.1W (Ta), 191W (Tc)	3.2W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare 견적 요청(RFQ)