CSD17303Q5 vs CSD17573Q5B

CSD17303Q5과 CSD17573Q5B에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD17303Q5

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle
Active
Stock
4931 PCS
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글 FET, MOSFET
Part B

CSD17573Q5B

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle
Active
Stock
2605 PCS
Package
TDFN-8
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Specification CSD17303Q5 CSD17573Q5B
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A (Ta), 100A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 8V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 8V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 4.5 V -
Vgs (Max) +10V, -8V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3420 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Bulk -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 100A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 1mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 64 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 9000 pF @ 15 V