Part A
CSD18503Q5A
텍사스 인스트루먼트(주)
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 6240 PCS
- Package
- TDFN-8
- Series
- 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글
CSD18503Q5A과 CSD18534Q5A에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.
텍사스 인스트루먼트(주)
텍사스 인스트루먼트(주)
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| Specification | CSD18503Q5A | CSD18534Q5A |
|---|---|---|
| Series | NexFET™ | NexFET™ |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V | 60 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 19A (Ta), 100A (Tc) | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 4.3mOhm @ 22A, 10V | 9.8mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 2640 pF @ 20 V | 1770 pF @ 30 V |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) | 3.1W (Ta), 77W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |