CSD18503Q5A vs CSD18534Q5A

CSD18503Q5A과 CSD18534Q5A에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18503Q5A

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle
Active
Stock
6240 PCS
Package
TDFN-8
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글
Part B

CSD18534Q5A

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle
Active
Stock
2842 PCS
Package
TDFN-8
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification CSD18503Q5A CSD18534Q5A
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 19A (Ta), 100A (Tc) 13A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.3mOhm @ 22A, 10V 9.8mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2640 pF @ 20 V 1770 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc) 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount