CSD18510Q5B vs CSD18540Q5B

CSD18510Q5B과 CSD18540Q5B에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD18510Q5B

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 4657 PCS
Package: TDFN-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Part B

CSD18540Q5B

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 6018 PCS
Package: TDFN-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Full specification comparison

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Specification	CSD18510Q5B	CSD18540Q5B
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V	60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	300A (Tc)	100A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	0.96mOhm @ 32A, 10V	2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.3V @ 250µA	2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	153 nC @ 10 V	53 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	11400 pF @ 20 V	4230 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)	3.1W (Ta), 195W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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