CSD87331Q3D vs CSD87330Q3D

CSD87331Q3D과 CSD87330Q3D에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

CSD87331Q3D

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 6404 PCS
Package: LDFN-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Part B

CSD87330Q3D

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 4721 PCS
Package: LDFN-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Specification	CSD87331Q3D	CSD87330Q3D
Series	NexFET™	NexFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Half Bridge)	2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	15A	20A
Vgs(th)(Max) @ Id	2.1V, 1.2V @ 250µA	2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	3.2nC @ 4.5V	5.8nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	518pF @ 15V	900pF @ 15V
Power - Max	6W	6W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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