DGD2190MS8-13 vs DGD2104AS8-13

DGD2190MS8-13과 DGD2104AS8-13에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DGD2190MS8-13

다이오즈(주)

Lifecycle: Active
Stock: 2801 PCS
Package: SOIC-8
Series: PMIC - 격자선 드라이브

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Part B

DGD2104AS8-13

다이오즈(주)

Lifecycle: Active
Stock: 4508 PCS
Package: SOIC-8
Series: PMIC - 격자선 드라이브

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Full specification comparison

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Specification	DGD2190MS8-13	DGD2104AS8-13
Part Status	Active	Obsolete
Driven Configuration	Half-Bridge	Half-Bridge
Channel Type	Independent	Synchronous
Number of Drivers	2	2
Gate Type	IGBT, N-Channel MOSFET	IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply	10V ~ 20V	10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH	0.8V, 2.5V	0.8V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink)	4.5A, 4.5A	210mA, 360mA
Input Type	Non-Inverting	Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)	600 V	600 V
Rise / Fall Time(Typ)	25ns, 20ns	100ns, 50ns
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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