DMG1029SV-7 vs DMG1012UW-7

DMG1029SV-7과 DMG1012UW-7에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

DMG1029SV-7

다이오즈(주)

Lifecycle: Active
Stock: 4091 PCS
Package: SOT-563-6
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Part B

DMG1012UW-7

다이오즈(주)

Lifecycle: Active
Stock: 5608 PCS
Package: SOT-323-3
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Full specification comparison

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Specification	DMG1029SV-7	DMG1012UW-7
Part Status	Active	Active
FET Type	N and P-Channel	N-Channel
Technology	-	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	500mA, 360mA	1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	-	1.8V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	1.7Ohm @ 500mA, 10V	450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.5V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	0.3nC @ 4.5V	0.74 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	-	±6V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	30pF @ 25V	60.67 pF @ 16 V
Power Dissipation (Max)	-	290mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
FET Feature	Logic Level Gate	-
Power - Max	450mW	-

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