FDG6306P vs FDG6302P

FDG6306P과 FDG6302P에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FDG6306P

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 20835 PCS
Package: SC-88
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Part B

FDG6302P

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 5604 PCS
Package: SC-88
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Full specification comparison

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Specification	FDG6306P	FDG6302P
Supplier	onsemi,Rochester Electronics, LLC	onsemi
Series	PowerTrench®	-
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	600mA	140mA
Rds On(Max) @ Id Vgs	420mOhm @ 600mA, 4.5V	10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2nC @ 4.5V	0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	114pF @ 10V	12pF @ 10V
Power - Max	300mW	300mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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