FDMS86520 vs FDMS8018
FDMS8018과 FDMS86520에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
PowerTDFN-8
설명
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
-
Base Product Number
FDMS80
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
14A (Ta), 42A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
7.4mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
40 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
2850 pF @ 30 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta), 69W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
