FDS6990A vs FDS6990AS
FDS6990AS과 FDS6990A에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
설명
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®, SyncFET™
PowerTrench®
Part Status
Obsolete
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.5A
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 7.5A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 15V
-
Power - Max
900mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Base Product Number
FDS6990
-
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
7.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
18mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
17nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1235pF @ 15V
Power-Max
-
900mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
