FDV305N vs FDV302P

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사양
FDV302P

+BOM

5215 PCS | 온세미
FDV305N

+BOM

6289 PCS | 비조 반도체 회사
패키지 SOT23-3
설명 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Part Status Obsolete -
Base Product Number FDV30 -
FET Type P-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 200mA, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.31 nC @ 4.5 V -
Vgs (Max) -8V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11 pF @ 10 V -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Tape & Reel (TR) -
Series - PowerTrench®
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 900mA (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs - 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id - 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 1.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 109 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) - 350mW (Ta)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
비교 모델 : FDV302P FDV305N

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