FGH40N60SFDTU vs FGH40N6S2

FGH40N60SFDTU과 FGH40N6S2에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40N60SFDTU

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 3269 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Part B

FGH40N6S2

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 6780 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Full specification comparison

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Specification	FGH40N60SFDTU	FGH40N6S2
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	75 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	120 A	180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.9V @ 15V, 40A	2.7V @ 15V, 20A
Power - Max	290 W	290 W
Switching Energy	1.13mJ (on), 310µJ (off)	115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	120 nC	35 nC
Td(on / off) @ 25°C	25ns/115ns	8ns/35ns
Test Condition	400V, 40A, 10Ohm, 15V	390V, 20A, 3Ohm, 15V
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
IGBT Type	Field Stop	-
Reverse Recovery Time (trr)	45 ns	-

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