FGH40T120SMD vs FGH40N60SMD

FGH40T120SMD과 FGH40N60SMD에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH40T120SMD

비조 반도체 회사

Lifecycle: Active
Stock: 2036 PCS
Package: TO-247
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Part B

FGH40N60SMD

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 1472 PCS
Package: TO-247
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Full specification comparison

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Specification	FGH40T120SMD	FGH40N60SMD
Part Status	Active	Active
IGBT Type	Trench Field Stop	Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	1200 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	80 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	160 A	120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.4V @ 15V, 40A	2.5V @ 15V, 40A
Power - Max	555 W	349 W
Switching Energy	2.7mJ (on), 1.1mJ (off)	870µJ (on), 260µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	370 nC	119 nC
Td(on / off) @ 25°C	40ns/475ns	12ns/92ns
Test Condition	600V, 40A, 10Ohm, 15V	400V, 40A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	65 ns	36 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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