FGH60N60SFDTU vs FGH60N60SMD

FGH60N60SFDTU과 FGH60N60SMD에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

FGH60N60SFDTU

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 3091 PCS
Package: TO-247AB-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Part B

FGH60N60SMD

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 7549 PCS
Package: TO-247
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Full specification comparison

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Specification	FGH60N60SFDTU	FGH60N60SMD
Part Status	Active	Active
IGBT Type	Field Stop	Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	120 A	120 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	180 A	180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.9V @ 15V, 60A	2.5V @ 15V, 60A
Power - Max	378 W	600 W
Switching Energy	1.79mJ (on), 670µJ (off)	1.26mJ (on), 450µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	198 nC	189 nC
Td(on / off) @ 25°C	22ns/134ns	18ns/104ns
Test Condition	400V, 60A, 5Ohm, 15V	400V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	47 ns	39 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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