IRF530NPBF vs IRF530PBF

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사양
IRF530PBF

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6309 PCS | 실리콘 닉스
IRF530NPBF

+BOM

7755 PCS | 인피니티 테크놀로지
패키지 TO-220-3 TO220-3
설명 MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14A (Tc) 17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 160mOhm @ 8.4A, 10V 90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 26 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 670 pF @ 25 V 920 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 88W (Tc) 70W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
비교 모델 : IRF530PBF IRF530NPBF

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