IRF640NSTRLPBF vs IRF640PBF
IRF640NSTRLPBF과 IRF640PBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
TO-263-3
TO-220-3
설명
HEXFET POWER MOSFET
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
150mOhm @ 11A, 10V
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
67 nC @ 10 V
70 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1160 pF @ 25 V
1300 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
150W (Tc)
125W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Through Hole
Series
HEXFET®
-
