IRF7351TRPBF vs IRF7341GTRPBF

IRF7351TRPBF과 IRF7341GTRPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7351TRPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 1607 PCS
Package: SO-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Part B

IRF7341GTRPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 3946 PCS
Package: SO-8
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 어레이

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Full specification comparison

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Specification	IRF7351TRPBF	IRF7341GTRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	8A	5.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs	17.8mOhm @ 8A, 10V	50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 50µA	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	36nC @ 10V	44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1330pF @ 30V	780pF @ 25V
Power - Max	2W	2.4W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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