IRF9389TRPBF vs IRF9310PBF 비교
IRF9389TRPBF과 IRF9310PBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
SO-8
SO-8
설명
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N and P-Channel
P-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.8A, 4.6A
20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.3V @ 10µA
2.4V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
14nC @ 10V
165 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
398pF @ 15V
5250 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
-
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
FET Feature
Logic Level Gate
-
Power - Max
2W
-
