IRF9310TRPBF vs IRF9389TRPBF

IRF9310TRPBF과 IRF9389TRPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

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Specification IRF9310TRPBF IRF9389TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Active
Base Product Number IRF9310 -
FET Type P-Channel N and P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5250 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 6.8A, 4.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 27mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.3V @ 10µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 14nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 398pF @ 15V
Power - Max - 2W