Part A
IRF9393TRPBF
인피니티 테크놀로지
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 4060 PCS
- Package
- SOIC-8
- Series
- 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글
IRF9393TRPBF과 IRF9317TRPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.
인피니티 테크놀로지
인피니티 테크놀로지
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| Specification | IRF9393TRPBF | IRF9317TRPBF |
|---|---|---|
| Series | HEXFET® | HEXFET® |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | 30 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 9.2A (Ta) | 16A (Ta) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 10V, 20V | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 13.3mOhm @ 9.2A, 20V | 6.6mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 2.4V @ 25µA | 2.4V @ 50µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±25V | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 1110 pF @ 25 V | 2820 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |