IRFB3207PBF vs IRFB3307ZPBF

IRFB3207PBF과 IRFB3307ZPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3207PBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle
Active
Stock
2526 PCS
Package
TO-220-3
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글
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Specification IRFB3207PBF IRFB3307ZPBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 170A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
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