IRFB4019PBF vs IRFB4332PBF 비교
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패키지
TO-220-3
TO-220-3
설명
IRFB4332 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFB4019 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series
HEXFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
60A (Tc)
17A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
33mOhm @ 35A, 10V
95mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
5V @ 250µA
4.9V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
20 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±30V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
5860 pF @ 25 V
800 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
390W (Tc)
80W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
