IRFH7914TRPBF vs IRFH7911TR2PBF 비교
IRFH7914TRPBF과 IRFH7911TR2PBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
PQFN-8
VQFN-18
설명
MOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
15A (Ta), 35A (Tc)
13A, 28A
Rds On(Max) @ Id Vgs
8.7mOhm @ 14A, 10V
8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
2.35V @ 25µA
2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
12nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
1160 pF @ 15 V
1060pF @ 15V
Power - Max
-
2.4W, 3.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Vgs(Max)
±20V
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
