IRFP250PBF vs IRFP27N60KPBF

IRFP250PBF과 IRFP27N60KPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP250PBF

실리콘 닉스

Lifecycle: Active
Stock: 1442 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

+BOM 견적 요청(RFQ)

Part B

IRFP27N60KPBF

실리콘 닉스

Lifecycle: Active
Stock: 7102 PCS
Package: TO-247-3
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

+BOM 견적 요청(RFQ)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

견적 요청(RFQ) Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFP250PBF	IRFP27N60KPBF
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	30A (Tc)	27A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	85mOhm @ 18A, 10V	220mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V	180 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2800 pF @ 25 V	4660 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)	500W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare 견적 요청(RFQ)