IRFP3710PBF vs IRFP3306PBF
IRFP3306PBF과 IRFP3710PBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
TO-247-3
설명
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC
MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
-
Base Product Number
IRFP3306
-
FET Type
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4520 pF @ 50 V
-
Power Dissipation (Max)
220W (Tc)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Mounting Type
Through Hole
-
Packaging
Tube
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
57A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
25mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
190 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
3000 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
200W (Tc)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
-
Through Hole