IRFP4768PBF vs IRFP460A

IRFP4768PBF과 IRFP460A에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

IRFP460A

실리콘 닉스

Lifecycle
Active
Stock
7403 PCS
Package
TO-247-3
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

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Specification IRFP4768PBF IRFP460A
Part Status Last Time Buy Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 20A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 105 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 3100 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 280W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series HEXFET® -
Base Product Number IRFP4768 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10880 pF @ 50 V -
Packaging Tube -