IRGIB15B60KD1P vs IRGIB6B60KDPBF

IRGIB15B60KD1P과 IRGIB6B60KDPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 4013 PCS
Package: TO-220-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Part B

IRGIB6B60KDPBF

인피니티 테크놀로지

Lifecycle: Active
Stock: 7268 PCS
Package: TO-220-3
Series: 트랜지스터 -IGBT-싱글

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Full specification comparison

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Specification	IRGIB15B60KD1P	IRGIB6B60KDPBF
Supplier	Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Obsolete	Obsolete
IGBT Type	NPT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	19 A	11 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	38 A	22 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.2V @ 15V, 15A	2.2V @ 15V, 5A
Power - Max	52 W	38 W
Switching Energy	127µJ (on), 334µJ (off)	110µJ (on), 135µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	56 nC	18.2 nC
Td(on / off) @ 25°C	30ns/173ns	25ns/215ns
Test Condition	400V, 15A, 22Ohm, 15V	400V, 5A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	67 ns	70 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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