IRLML6402TRPBF vs IRLML6246TRPBF

IRLML6402TRPBF과 IRLML6246TRPBF에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

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Specification IRLML6402TRPBF IRLML6246TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
Base Product Number IRLML6402 -
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 4.5V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 5 V -
Vgs (Max) ±12V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 633 pF @ 10 V -
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 4.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 46mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.1V @ 5µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 3.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) - ±12V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 290 pF @ 16 V