JANTX2N6796 vs JANTX2N2907A 비교
JANTX2N2907A과 JANTX2N6796에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
TO-205AF-3
설명
TRANS PNP 60V 0.6A TO206AA
MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF
Supplier
Microchip Technology
-
Series
Military, MIL-PRF-19500/291
Military, MIL-PRF-19500/557
Part Status
Active
Obsolete
Transistor Type
PNP
-
Current - Collector(Ic)(Max)
600 mA
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
60 V
-
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
-
Current - Collector Cutoff(Max)
50nA
-
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
100 @ 150mA, 10V
-
Power - Max
500 mW
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
FET Type
-
N-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
195mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
28.51 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Power Dissipation (Max)
-
800mW (Ta), 25W (Tc)
