LM358BAIDR vs LM358DE4

LM358BAIDR과 LM358DE4에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM358BAIDR

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 2857 PCS
Series: 선형 증폭기 - 계측기, 연산 증폭기, 완충 증폭기

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Part B

LM358DE4

텍사스 인스트루먼트(주)

Lifecycle: Active
Stock: 8540 PCS
Package: SOIC-8
Series: 선형 증폭기 - 계측기, 연산 증폭기, 완충 증폭기

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Full specification comparison

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Specification	LM358BAIDR	LM358DE4
Supplier	-	Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
Part Status	Active	Obsolete
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Slew Rate	0.5V/µs	0.3V/µs
Gain Bandwidth Product	1.2 MHz	700 kHz
Current - Input Bias	10 nA	20 nA
Voltage - Input Offset	2 mV	3 mV
Supply Current	300µA (x2 Channels)	500µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	40 mA	40 mA
Voltage - Supply Span(Min)	3 V	3 V
Voltage - Supply Span(Max)	36 V	30 V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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