MJD45H11T4 vs MJD45H11TM

MJD45H11T4과 MJD45H11TM에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11T4

ST마이크로일렉트로닉스(주)

Lifecycle: Active
Stock: 3019 PCS
Package: TO-252-3
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 단일

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Part B

MJD45H11TM

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 3736 PCS
Package: TO-252-3
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 단일

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Full specification comparison

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Specification	MJD45H11T4	MJD45H11TM
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	8 A	8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	80 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1V @ 400mA, 8A	1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max)	10µA	10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	40 @ 4A, 1V	40 @ 4A, 1V
Power - Max	20 W	1.75 W
Frequency - Transition	-	40MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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