MMBT4401LT1G vs MMBT4403LT1G

MMBT4401LT1G과 MMBT4403LT1G에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification MMBT4401LT1G MMBT4403LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 600 mA 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 40 V 40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 750mV @ 50mA, 500mA 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 100 @ 150mA, 1V 100 @ 150mA, 2V
Power - Max 300 mW 300 mW
Frequency - Transition 250MHz 200MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount