MMBT5551 vs MMBT5551LT1G

MMBT5551과 MMBT5551LT1G에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 PCS
Series
트랜지스터 - 양극 트랜지스터(BJT) - 단일 양극 트랜지스터
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Specification MMBT5551 MMBT5551LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V -
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) -
Current - Collector(Ic)(Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 80 @ 10mA, 5V
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