MMBTA64LT1G vs MMBTA56LT1G

MMBTA64LT1G과 MMBTA56LT1G에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA64LT1G

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 1290 PCS
Package: SOT-23-3
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 단일

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Part B

MMBTA56LT1G

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 3861 PCS
Package: SOT-23-3
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 단일

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Specification	MMBTA64LT1G	MMBTA56LT1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP - Darlington	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	30 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	20000 @ 100mA, 5V	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	125MHz	50MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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