MRF5812GR1 vs MRF5812GR2

MRF5812GR1과 MRF5812GR2에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

미고삼미 회사

Lifecycle
Active
Stock
5446 PCS
Package
SOIC-8
Series
양극 트랜지스터(BJT) 무선 주파수
+BOM 견적 요청(RFQ)
Part B

MRF5812GR2

미고삼미 회사

Lifecycle
Active
Stock
7102 PCS
Package
SOIC-8
Series
양극 트랜지스터(BJT) 무선 주파수
+BOM 견적 요청(RFQ)

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Specification MRF5812GR1 MRF5812GR2
Supplier - Microchip Technology
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 15V 15V
Frequency - Transition 5GHz 5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB
Power - Max 1.25W 1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max) 200mA 200mA
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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