MUN5211T1G vs MUN5214DW1T1G

MUN5211T1G과 MUN5214DW1T1G에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5211T1G

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 3812 PCS
Package: SC-70
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 단일 사전 오프셋

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Part B

MUN5214DW1T1G

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 7034 PCS
Package: SOT-363-6
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 어레이, 사전 오프셋

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Full specification comparison

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Specification	MUN5211T1G	MUN5214DW1T1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100 mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50 V	50V
Resistor - Base(R1)	10 kOhms	10kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	10 kOhms	47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	35 @ 5mA, 10V	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 300µA, 10mA	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	500nA
Power - Max	202 mW	250mW
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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