MUN5330DW1T1G vs MUN5335DW1T2

MUN5330DW1T1G과 MUN5335DW1T2에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5330DW1T1G

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 16706 PCS
Package: SC-88
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 어레이, 사전 오프셋

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Part B

MUN5335DW1T2

온세미

Lifecycle: Active
Stock: 3602 PCS
Package: SC-88
Series: 트랜지스터 - 양극형 트랜지스터(BJT) - 어레이, 사전 오프셋

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Full specification comparison

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Specification	MUN5330DW1T1G	MUN5335DW1T2
Supplier	onsemi	Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max)	100mA	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	50V	50V
Resistor - Base(R1)	1kOhms	2.2kOhms
Resistor - Emitter Base(R2)	1kOhms	47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	3 @ 5mA, 10V	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	250mV @ 5mA, 10mA	-
Current - Collector Cutoff(Max)	500nA	-
Power - Max	250mW	-
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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