NVMFS5113PLT1G vs NVMFS4C01NT1G 비교

NVMFS4C01NT1G과 NVMFS5113PLT1G에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
사양
NVMFS4C01NT1G

+BOM

4064 PCS | 온세미
NVMFS5113PLT1G

+BOM

3739 PCS | 온세미
패키지 SO-8FL-4 SO-8FL
설명 MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Series Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 49A (Ta), 319A (Tc) 10A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10144 pF @ 15 V 4400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.84W (Ta), 161W (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
비교 모델 : NVMFS4C01NT1G NVMFS5113PLT1G

+BOM 견적 요청(RFQ)