SI2301-TP vs SI2302CDS-T1-GE3 비교
SI2302CDS-T1-GE3과 SI2301-TP에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수, REACH 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소를 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 애플리케이션에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다. 더 자세한 정보는 해당 데이터시트를 참조하거나 당사 영업팀에 문의하여 설계에 적합한 부품을 선택하는 데 도움을 받으십시오.
패키지
SOT-23-3
SOT-23-3
설명
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
850mV @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Power Dissipation (Max)
710mW (Ta)
1.25W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
880 pF @ 6 V
