SI2303CDS-T1-GE3 vs SI2301-TP

SI2303CDS-T1-GE3과 SI2301-TP에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

SI2301-TP

마이크로 커머셜 컴퍼니

Lifecycle
Active
Stock
3274 PCS
Package
SOT-23-3
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글
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Specification SI2303CDS-T1-GE3 SI2301-TP
Series TrenchFET® -
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.7A (Tc) 2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 190mOhm @ 1.9A, 10V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 155 pF @ 15 V 880 pF @ 6 V
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 2.3W (Tc) 1.25W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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