SI2307BDS-T1-E3 vs SI2301CDS-T1-E3

SI2307BDS-T1-E3과 SI2301CDS-T1-E3에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI2307BDS-T1-E3

실리콘 닉스

Lifecycle: Active
Stock: 7071 PCS
Package: SOT-23-3
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

+BOM 견적 요청(RFQ)

Part B

SI2301CDS-T1-E3

실리콘 닉스

Lifecycle: Active
Stock: 2959 PCS
Package: SOT-23-3
Series: 트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

+BOM 견적 요청(RFQ)

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

견적 요청(RFQ) Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	SI2307BDS-T1-E3	SI2301CDS-T1-E3
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.5A (Ta)	3.1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs	78mOhm @ 3.2A, 10V	112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V	10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	380 pF @ 15 V	405 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	750mW (Ta)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare 견적 요청(RFQ)