SI2305-TP vs SI2302DDS-T1-GE3

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사양
SI2305-TP

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6247 PCS | 마이크로 커머셜 컴퍼니
SI2302DDS-T1-GE3

+BOM

4873 PCS | 실리콘 닉스
패키지 SOT-23 SOT-23-3
설명 MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23 MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Series - TrenchFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 8 V 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.1A (Ta) 2.9A (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 2A, 1.8V 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 900mV @ 250µA 850mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 15 nC @ 4.5 V 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
PowerDissipation(Max) 350mW (Ta) 710mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
비교 모델 : SI2305-TP SI2302DDS-T1-GE3

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