STF10N105K5 vs STF10LN80K5

STF10N105K5과 STF10LN80K5에 대한 심층 비교를 통해 두 제품의 사양 및 주요 특징에 대한 유용한 정보를 얻을 수 있습니다. RoHS 준수 여부, REACH 인증 상태, 시리즈, 장착 방식, 패키지 유형 및 기타 관련 특성을 포함한 중요한 요소들을 자세히 다룹니다. 두 제품의 차이점을 나란히 제시함으로써 부품 선택이 간소화되어 특정 용도에 가장 적합한 옵션을 쉽게 선택할 수 있습니다.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STF10N105K5

ST마이크로일렉트로닉스(주)

Lifecycle
Active
Stock
5541 PCS
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글 FET, MOSFET
Part B

STF10LN80K5

ST마이크로일렉트로닉스(주)

Lifecycle
Active
Stock
1313 PCS
Package
TO-220FP
Series
트랜지스터 -FET, MOSFET - 싱글

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification STF10N105K5 STF10LN80K5
Series MDmesh™ K5 MDmesh™
Part Status Active Active
Base Product Number STF10 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V -
Vgs (Max) 30V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V -
Power Dissipation (Max) 30W (Tc) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Packaging Tube -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 630mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 427 pF @ 100 V